文章摘要:采用基于硝酸/氢氟酸/磷酸/硫酸混合液的湿法腐蚀工艺,实现了高吸收效率的黑硅结构的制备与工艺集成,获得了具有近红外响应增强效果的黑硅PIN光电探测器,并与未集成黑硅的PIN光电探测器的性能参数进行了对比测试。测试结果显示,黑硅光电探测器在1060nm波长下的响应度达到0.69A/W(量子效率80.7%),较未集成黑硅的器件提高了116%;黑硅探测器暗电流小于8n A,响应时间小于8ns,电容小于9p F,与未集成黑硅的器件相当。得益于工艺兼容性,所采用的黑硅技术具有广泛应用于硅基近红外PIN,APD,SPAD,SPM等光电探测器的潜力,可显著提高器件的响应率、量子效率、响应速度、击穿电压温度系数等性能。

文章关键词:黑硅,近红外响应增强,光电探测器,湿法腐蚀,暗电流抑制,

论文作者:黄建 雷仁方 江海波 刘钟远 李睿智 朱继鑫 

作者单位:重庆光电技术研究所 

论文分类号: TQ127.2;TN36

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